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SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=800V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):3.0V(Max)@IC=14.4A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayHorizontalDeflectionOutputApplications Ultrahigh-DefinitionCRTDisplay HorizontalDeflectionOutputApplications Features •Highspeed. •Highbreakdownvoltage(VCBO=1500V). •Highreliability(AdoptionofHVPprocess). •AdoptionofMBITprocess. | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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