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2SC5668-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SC5668-T1
厂商型号

2SC5668-T1

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

文件大小

262.57 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 20:00:00

2SC5668-T1规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE × HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

• Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA

• Maximum available power gain: MAG. = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 20 mA

• High fT: fT = 21 GHz TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 20 mA

• fT = 25 GHz “UHS0” (Ultra High Speed Process) technology adopted

• Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold (t = 0.59 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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