2SC5606分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5606 |
| 参数属性 | 2SC5606 封装/外壳为SOT-523；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG) |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
329.12 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 | CEL |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | 2SC5606价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5606规格书详情
2SC5606属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5606晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
FEATURES
• Suitable for high-frequency oscillation
• fT = 25 GHz technology adopted
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package
产品属性
更多- 产品编号：
2SC5606-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
- 频率 - 跃迁：
21GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 2GHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
6250 |
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询价 | ||
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SOT423 |
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SOT-523 |
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