2SC5551AF-TD-E_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-安森美半导体

订购数量	价格
1+	¥面议

厂家型号：
2SC5551AF-TD-E
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-243AA
包装：
带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-20 16:11:00

PDF资料查看货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：2SC5551AF-TD-E品牌：onsemi

资料说明：RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

2SC5551AF-TD-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-243AA的2SC5551AF-TD-E晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2sc5551af-td-e
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SC5551AF-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
3.5GHz
功率 - 最大值：
1.3W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
300mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

相关型号

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON(安森美)	23+	标准封装	7868	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON	2017+	SOT89	58895	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市纳立科技有限公司	2SC5551AF-TD-E		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市赛美科科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON/安森美		NA	275000	一级代理原装正品,价格优势,长期供应!	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON/安森美	22+	SOT89	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
深圳市恒科翔业电子有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON/安森美	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON Semiconductor	2022+	PCP	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON/安森美	23+		12000		询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON(安森美)	23+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC5551AF-TD-E	ON/安森美	2023+		8700	原装现货	询价

2SC5551AF-TD-E_分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-射频-安森美半导体

2SC5551AF-TD-E

产品属性

相关型号

相近型号

2SC5551AF-TD-E_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-安森美半导体