2SC5455分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5455 |
| 参数属性 | 2SC5455 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
1.79869 Mbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SC5455价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5455规格书详情
2SC5455属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5455晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
FEATURE
• Ideal for medium-output applications
• High gain, low noise
• Small reverse transfer capacitance
• Can operate at low voltage
产品属性
更多- 产品编号：
2SC5455-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 30mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOT-143 |
6900 |
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询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT143 |
15000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2026+ |
SOT143 |
54648 |
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20+ |
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NEC |
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SOT-143 |
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NEC |
23+ |
SOT-143 |
50000 |
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21+ |
SOT143 |
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SOT-143 |
23+ |
NA |
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NEC |
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SOT-143 |
880000 |
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NEC |
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