选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220F |
5000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-220F |
10000 |
全新 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220F |
4000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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2SC5382图片
2SC5382中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC5382制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC5382-7000功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5382-7100功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5382-7112功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2