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2SC5245A-4-TL-E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC5245A-4-TL-E

参数属性

2SC5245A-4-TL-E 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

功能描述

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCP
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

349.84 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2026-2-9 16:05:00

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2SC5245A-4-TL-E规格书详情

2SC5245A-4-TL-E属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体制造生产的2SC5245A-4-TL-E晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

特性 Features

• Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz)

: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz)

• High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz)

• High cut-off frequency : fT=8GHz typ

• Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)

: fT=3.5GHz typ

: ⏐S21e⏐2=5.5dB typ (f=1.5GHz)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC5245A-4-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 10mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    3-MCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
20+
1517
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Hitachi
25+23+
Sot-323
31198
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