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2SC5200分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SC5200
厂商型号

2SC5200

参数属性

2SC5200 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 230V 15A TO264

功能描述

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
TRANS NPN 230V 15A TO264

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

157.43 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 10:51:00

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2SC5200规格书详情

2SC5200属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的2SC5200晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Description

This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.

Features

■ High breakdown voltage VCEO = 230 V

■ Typical fT = 30 MHz

Application

■ Audio power amplifier

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC5200

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 800mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    55 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264

  • 描述:

    TRANS NPN 230V 15A TO264

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