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2SC5085分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC5085

参数属性

2SC5085 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

463.88 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

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更新时间

2026-2-5 20:03:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SC5085

  • 别名:

    2SC5085三极管、2SC5085晶体管、2SC5085晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_甚高频 (VHF)_超高频/特高频

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.08A

  • 最大工作频率:

    7GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFS520,BFS540,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    7000000000

  • atest:

    0.08

  • wtest:

    0

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5085-Y(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11dB ~ 16.5dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
SOT323
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