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2SC4738	文件：153.16 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to700 •Complementaryto2SA1832 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738	文件：277.79 Kbytes Page：2 Pages	0.15A,60VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighVoltageandHighCurrent ●HighDCCurrentGain ●Complementaryto2SA1832	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4738	文件：159.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNTRANSISTOR FEATURES: Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFElinearity HighhFE Complementaryto2SA1832	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC4738	文件：37.27 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxialPlanartype ■Features ●HighVoltageandCurrent ●HighDCCurrentGain ●SmallPackage ●Complementaryto2SA1832	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4738	文件：409.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738F	文件：149.05 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) HighhFE:hFE=120~400 Complementaryto2SA1832F Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738F	文件：135.79 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738F-GR	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) HighhFE:hFE=120~400 Complementaryto2SA1832F Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738FT	文件：145.1 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications HighVoltage:VCEO=50V HighCurrent:IC=150mA(max) HighhFE:hFE=120to400 ExcellenthFELinearity :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) Complementaryto2SA1832FT	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4738FT-GR	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications HighVoltage:VCEO=50V HighCurrent:IC=150mA(max) HighhFE:hFE=120to400 ExcellenthFELinearity :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) Complementaryto2SA1832FT	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC4738-Y,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SSM
描述：
TRANS NPN 50V 0.15A SSM

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