2SC4132T100P中文资料Power Transistor (120V, 1.5A)数据手册ROHM规格书

厂商型号	2SC4132T100P
参数属性	2SC4132T100P 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 120V 2A MPT3
功能描述	Power Transistor (120V, 1.5A) TRANS NPN 120V 2A MPT3
封装外壳	TO-243AA
制造商	ROHM Rohm
中文名称	罗姆罗姆半导体集团
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-28 22:59:00
人工找货	2SC4132T100P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

2SC4132T100P规格书详情

特性 Features

1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)
2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V)
3) High transition frequency. (fT = 80MHz)
4) Complements the 2SB1236.

简介

2SC4132T100P属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SC4132T100P晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

产品编号：
2SC4132T100P
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS NPN 120V 2A MPT3

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