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TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司 | WINNERJOIN | ||
OldCompanyNameinCatalogsandOtherDocuments FEATURES ●HighGainBandwidthProduct:fT=200MHzMIN. ●Complementaryto2SA1464 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
NPNSiliconEpitaxia Features ●Highgainbandwidthproduct:fT=200MHz. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
HIGHFREQUENCYAMPLIFIERANDSWITCHINGNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD FEATURES ●HighGainBandwidthProduct:fT=200MHzMIN. ●Complementaryto2SA1464 | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
NPNTransistors ■Features ●HighGainBandwidthProduct:fT=200MHz(min) ●Complementaryto2SA1464-HF ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesaPb−FreeLeadFinish | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
NPNGeneralPurposeAmplifier | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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