2SC3357分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC3357 |
| 参数属性 | 2SC3357 封装/外壳为TO-243AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 |
| 功能描述 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-89 / TO-243AA |
| 文件大小 |
77.51 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | NEC |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SC3357价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC3357规格书详情
DESCRIPTION
The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has large dynamic range and good current characteristic.
FEATURES
• Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1.0 GHz
• Large PTin Small Package
PT: 2 W with 16 cm2 × 0.7 mm Ceramic Substrate.
产品属性
- 产品编号：
2SC3357-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
1.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2016+ |
SOT89 |
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