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2SC3332T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC3332T

参数属性

2SC3332T 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

功能描述

Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

79.63 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-12-20 16:10:00

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2SC3332T规格书详情

2SC3332T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2SC3332T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• Hgih breakdown voltage

• Excellent hFE linearity

• Wide SOA and highly resistant to breakdown

• Adoption of MBIT process

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC3332T

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 25mA,250mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    3-NP

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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