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2SC3265-Y,LF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 0.8A TO236

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件:86.8 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3265

Silicon NPN Epitaxial

Features ● High DC current gain: hFE (1) = 100320. ● Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA).

文件:36.73 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3265

NPN EPITAXIAL TYPE (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

文件:135.45 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3265-Y,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 20mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 0.8A TO236

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更多2SC3265-Y,LF供应商 更新时间2025-10-10 8:02:00