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2SC3076	文件：181.44 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1241	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：44.03 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●LowCollectrorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ●ExcellentSwitchingTime:tstg=1.0μs(Typ.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3076	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：169.26 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1241	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3076Y	文件：169.26 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1241	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC3076-O(Q)
制造商：
Toshiba
功能描述：
NPN 50V 2A 70 to 140 PW-Mold Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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