选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90450 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
465 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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MIT |
3 |
23DD |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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T/NECCAN |
50000 |
2023+ |
全新原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-39 |
608900 |
MITSUBISHI |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
120000 |
21+ |
长期代理优势供应 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
10000 |
22+ |
只做原装,支持实单 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
25000 |
22+ |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECCAN |
4540 |
23+ |
优势库存 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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MITSUBISHI/三菱TO-39 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市维基鸿电子有限公司13年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
10000 |
23+ |
全新原装现货库存 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
565 |
99+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
465 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MITSUBISHI/三菱NA/ |
3715 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MITSUBISHITO-39 |
465 |
99+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Mitsubishi/MITSUBISHI electlicTO-39 |
465 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
2SC306采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SC306图片
2SC306中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC3060制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC3061制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC3063功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3065制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor
2SC3065E功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | DIP
2SC3065F功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | DIP
2SC3065G功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | DIP
2SC3065H功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | DIP
2SC3066制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS
2SC3066F功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | DIP
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
通用型 (Uni)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
240MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BFX96,BFX97,BSW51,BSW52,2N2217,2N2218,2N2219,2N3053,3DK4B,
- 最大耗散功率:
0.57W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-40
- vtest:
50
- htest:
240000000
- atest:
.5
- wtest:
.57