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2SC2762中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SC2762

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR UHF-BAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

文件大小

191.78 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 15:25:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SC2762

  • 别名:

    2SC2762三极管、2SC2762晶体管、2SC2762晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    35V

  • 最大电流允许值:

    0.4A

  • 最大工作频率:

    500MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFR36,BFS50,BFW16,BFW17,BLW11,MRF629,2SC2852,2SC3185,3DA32A,

  • 最大耗散功率:

    1.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    35

  • htest:

    500000000

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    1.4

2SC2762规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC2762 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for

UHF-band medium power amplifiers.

FEATURE

Medium power output

Pout = 1.4 W TYP. @f = 500 MHz, VCC = 12.6 V, Pin = 0.25 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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