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2SC2713-BL,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 0.1A TO236	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2713	文件：36.42 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxialType Features ●HighvoltageVCEO=120V ●HighhFE ●Lownoise. ●Smallpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2713	文件：646.6 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2713	文件：205.4 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementaryto2SA1163 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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产品属性

产品编号：
2SC2713-BL,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
350 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236
描述：
TRANS NPN 120V 0.1A TO236

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	2SC2713-BL,LF	TOSHIBA	2021+	SOT23	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
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