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2SC2712GT1中文资料General Purpose Amplifier Transistor数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号：
2SC2712GT1
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 0.15A 60V NPN
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
25+23+ |
Sot-23 |
32396 |
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23+ |
SOT23-3 |
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SOT-23 |
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24+ |
SOT-23 |
60000 |
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