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2SC2712-BL,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.15A SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712	文件：210.58 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：338.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNTransistors SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC2712	文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC2712	文件：113.89 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) HighhFE LowNoise	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：173.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2712	文件：168.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialTypeTransistor Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2712	文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：738.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2712	文件：295.63 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
2SC2712	文件：482.23 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
2SC2712	文件：659.13 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162 •AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2712	文件：2.39488 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ●Complementaryto2SA1162	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2SC2712	文件：197.8 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) Complementaryto2SA1162	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SC2712	文件：99.97 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRF-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ●Complemento2SA1037 ●Collector-current:Ic=100mA ●Collector-EmillerVoltage:VCE=45V ●HighTotalpowerDissipationPc=225mW ●HighlifeAndGoodLinearity	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2712	文件：1.07182 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC2712	文件：210.16 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Highpowerdissipation •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2712	文件：924.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2712	文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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产品属性

产品编号：
2SC2712-BL,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

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更多2SC2712-BL,LF供应商更新时间2024-5-5 17:18:00

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