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2SC2690A	文件：168.03 Kbytes Page：2 Pages	Use in audio and radio Frequency power amplifiers. SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：168.03 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC2690A	文件：135.41 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS ·For use in audio and radio frequency power amplifiers 文件：135.41 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2690A-AZ	文件：1.72024 Mbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW/HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFICATION DESCRIPTION These products are general purpose transistors designed for use in audio and radio frequency power amplifiers. FEATURES • Suitable for use in driver stage of 50 to 100 W audio amplifiers and output 文件：1.72024 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2690-AZ	文件：1.72024 Mbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW/HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFICATION DESCRIPTION These products are general purpose transistors designed for use in audio and radio frequency power amplifiers. FEATURES • Suitable for use in driver stage of 50 to 100 W audio amplifiers and output 文件：1.72024 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2694	文件：136.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)? DESCRIPTION 2SC2694 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF band mobile radio applications. APPLICATION 50 to 60 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. 文件：136.66 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2695	文件：186.04 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2237 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF band mobile radio applications. APPLICATION 25 to 28 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. 文件：186.04 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2603	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers 文件：84.74 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC2608	文件：110.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：110.59 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2610	文件：155.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused 文件：155.96 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2610TZ-E	文件：155.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused 文件：155.96 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SC2695
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
32W
放大倍数：
图片代号：
G-253
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
10
wtest：
32

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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