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2SC2383-O	文件：75.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof0.9WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.0A •Collector-baseVoltage160V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •Marking:C2383 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityra	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2383-O	文件：77.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •SmallFlatPackage •GeneralPurposeApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC2383-O	文件：473.32 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors ■Features ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC2383-O	文件：310.39 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulateb Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2383-O	文件：1.20987 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2383-O-HF	文件：1.38373 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2383-O(T6OMI,FM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2383-O,T6ALPF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2383-O-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1A TO92MOD	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2383	文件：473.32 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC2383	文件：1.47545 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89NPNMediumPowerTransistor Features: ·Highcurrent(max.1A) ·Highvoltage(160V) APPLICATIONS： ·Driverstagesofaudioandvideoamplifiers. DESCRIPTION： ·NPNmediumpowertransistorinaSOT89package.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC2383	文件：171.12 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(COLORTVVERT.DEFLECTION,CLASSBSOUNDOUTPUTAPPLICATIONS) ColorTVVerticalDeflectionOutputApplications ColorTVClass-BSoundOutputApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=160V •Largecontinuouscollectorcurrentcapability •Recommendedforverticaldeflectionoutput&soundoutput applicationsforline-operatedTVs. •Compleme	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2383	文件：135.08 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2383	文件：2.21831 Mbytes Page：5 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURE Highvoltage:VCEO=160V Largecontinuouscollectorcurrentcapability	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2383	文件：70.86 Kbytes Page：3 Pages	COLORTVAUDIOOUTPUT&COLORTVVERTICALOUTPUT DESCRIPTION TheUTC2SC2383isanNPNepitaxialsilicontransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgainandhighbreakdownvoltage. TheUTC2SC2383isusuallyusedinColorTVVerticalDeflectionOutputandAudioOutput. FEATURES *HighbreakdownVoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2383	文件：405.16 Kbytes Page：2 Pages	HighvoltageVCEO160V Features ◇Highvoltage:VCEO=160V ◇Largecontinuouscollectorcurrentcapability ◇Complementaryto2SA1013	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SC2383	文件：255.59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowTransistor DESCRIPTION •Highbreakdownvoltage •Lowoutputcapacitance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •ColorTVclassBsoundoutputapplications •ColorTVvert.deflectionoutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2383	文件：3.66094 Mbytes Page：5 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE •HighVoltage:VCEO=160V •LargeContinuousCollectorCurrentCapability •Complementaryto2SA1013	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2383	文件：136.82 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.9W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2383	文件：77.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •SmallFlatPackage •GeneralPurposeApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

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详细参数

型号：
2SC2383-O
制造商：
MCC
制造商全称：
Micro Commercial Components
功能描述：
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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