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2SC2235-Y,USNHF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2235	文件：151.89 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Complementaryto2SA965.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SC2235	文件：181.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES Complementaryto2SA965	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC2235	文件：105.33 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2235	文件：115.76 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES *ComplimentarytoUTC2SA965	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2235	文件：349.66 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Complementaryto2SA965	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2235	文件：1.03916 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Description SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Complementaryto2SA965. Applications AudiofrequencyamplifieranddriverstageamplifierApplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2235	文件：6.11683 Mbytes Page：4 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Complementaryto2SA965	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2235	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2235	文件：308.89 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :VCEO=120V(Min) ·DCCurrentGain :hFE=80-240@(VCE=5V,IC=0.1A) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·TVHorizontalDeflectionOutputApplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2235TM	文件：752.83 Kbytes Page：2 Pages	0.8A,120VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •Complementaryto2SA965	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC2235-Y	文件：424.56 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

产品属性

产品编号：
2SC2235-Y,USNHF(M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92MOD
描述：
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC2235-Y,USNHF(M供应商更新时间2024-5-24 15:00:00

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