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NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFpoweramplifiersinHFbandMobileradioapplications) DESCRIPTION 2SC2086isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersinHFbandradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≦≧≤≥13dB @VCC=12V,Po=0.3W,f=27MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforgoodperformance ●TO-9 | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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