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2SC1623L6_GSME/桂微_NPN Silicon Epitaxial Transistors威雅利发展
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
:2SC1623L6
- 集电极电流(Ic)
:100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
:50V
- 耗散功率(Pd)
:225mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
:0.3V
- 直流电流增益(hFE)
:200-400
- 特征频率(fT)
:250MHz
- 工作温度
:-55℃~+150℃
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