2SC1567分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC1567 |
| 参数属性 | 2SC1567 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 0.5A TO126B-A1 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
126.39 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 16:04:00 |
| 人工找货 | 2SC1567价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC1567规格书详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage •-. : V(BR)CEO= 100V(Min)
• Good Linearity of hFE
• Complement to Type 2SA794
APPLICATIONS
• Designed for low-frequency high power driver.
• Optimum for the driver stage of low-frequency and 40W to 100W output amplifier.
产品属性
- 产品编号：
2SC15670S
- 制造商：
Panasonic Electronic Components
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
185 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126B-A1
- 描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO126B-A1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAT |
1738+ |
TO-126 |
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24+ |
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