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2SC1070	文件：24.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC1070(B) is specifically designed for UHF RF amplifier applications. The 2SC1070(B) feature high power gain, low noise, and excellent forward AGC characteristics in a tiny fourlead plastic package designed to realize easy and economical mounting. FEATURES ● Packaged in tiny pl 文件：24.63 Kbytes 页数：1 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1070	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC1070B	文件：24.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC1070(B) is specifically designed for UHF RF amplifier applications. The 2SC1070(B) feature high power gain, low noise, and excellent forward AGC characteristics in a tiny fourlead plastic package designed to realize easy and economical mounting. FEATURES ● Packaged in tiny pl 文件：24.63 Kbytes 页数：1 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1070B	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR UHF RF Amplifier applications	Renesas 瑞萨	Renesas

型号：
2SC1070
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_前置放大（V）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
900MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BF180,BF357,BF362,BF363,BS13,G83,2SC2144,2SC2353,2SC2464,2SC2466,3DG300B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
G-130
vtest：
0
htest：
900000000
atest：
0
wtest：
0

更多2SC1070供应商更新时间2026-4-20 13:32:00