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2SB962	文件：233.15 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3? DESCRIPTION The2SB962-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •LowVCE(sat):VCE(sat)=−0.3VTYP.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB962-Z	文件：233.15 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3? DESCRIPTION The2SB962-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •LowVCE(sat):VCE(sat)=−0.3VTYP.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB962-Z	文件：40.03 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB962-Z	文件：289.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowVCE(sat)=-0.3VTYP •PNPsiliconepitaxialtransistor •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •The2SB962-ZisdesignedforAudiofrequencyamplifierandswitching,especiallyinhybridintegr	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB962-Z	文件：821.31 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SB962-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierand Switching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •LowVCE(sat):VCE(sat)=−0.3VTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB962-Z-E	文件：931.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB962-Z-P	文件：931.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB962-Z-Q	文件：931.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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详细参数

型号：
2SB962E
功能描述：
BJT

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更多2SB962E供应商更新时间2024-6-1 18:28:00

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