2SB764L中文资料PDF规格书
2SB764L规格书详情
FEATURE
● Power dissipation PCM: 0.9 W (Tamb=25℃ )
● Collector current ICM: -1 A
● Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V
● Operating and storage junction temperature range
TJ, TSTG: -55℃ to +150℃
产品属性
- 型号：
2SB764L
- 制造商：
SECOS
- 制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
- 功能描述：
PNP Plastic Encapsulated Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO220 |
58000 |
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CJ(江苏长电/长晶) |
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23+ |
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SOT89 |
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车规-元器件 |
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长电 |
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TO-92M |
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TO-220 |
10000 |
全新 |
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长电 |
2020+ |
TO-92M |
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