2SB555中文资料100W PNP High Power BJT Transistor数据手册Digitron规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SB555三极管、2SB555晶体管、2SB555晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
HIFI_低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
140V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
6MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDX20,2N6031,2N6231,2SA908,2SA909,2SB681,2SB697,2SB817,3CD100E,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
140
- htest：
6000000
- atest：
12
- wtest：
100
2SB555规格书详情
描述 Description
This BJT is packaged in TO-3 package.
Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.
应用 Application
Bipolar Junction Transistors are used in power control and sensing applications in a diverse range of electronic circuits.
技术参数
- 型号：
2SB555
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
Silicon PNP Power Transistors
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
TO-3 |
80000 |
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长电 |
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TO-92M |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
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CJ/长晶 |
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TOSHIBA/东芝 |
专业铁帽 |
TO-3 |
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CJ/长电 |
24+ |
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50000 |
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