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2SB434

SILICON PNP TRANSISTOR

SILICON PNP TRANSISTOR

文件:42.42 Kbytes 页数:1 Pages

TOSHIBA

东芝

2SB434

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD234 APPLICATIONS • For low frequency power amplifier and switching applications

文件:136.26 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2SB434

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD234 APPLICATIONS • For low frequency power amplifier and switching applications

文件:95.14 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SB435

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ● Complement to 2SD235

文件:69.35 Kbytes 页数:1 Pages

WINGS

永盛电子

2SB435

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -50V(Min) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max.) @IC= -1A • Complement to Type 2SD235 • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for low fre

文件:260.149 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SB435

SILICON PNP TRANSISTOR

SILICON PNP TRANSISTOR

文件:42.42 Kbytes 页数:1 Pages

TOSHIBA

东芝

2SB434

SILICON PNP TRANSISTOR

Toshiba

东芝

2SB435

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

Wing Shing Computer

永盛电子

晶体管资料

  • 型号:

    2SB435

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD242,BD244,BD540,BD534,BD934,BD576,BD586,3CA10C,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    40

  • htest:

    10000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

详细参数

  • 型号:

    2SB43

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-220AB -40V -3A 25W BCE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NSC
24+
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TOSHIBA
24+
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原装现货/欢迎来电咨询
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TOSHIBA/东芝
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TO-220
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更多2SB43供应商 更新时间2026-3-10 16:30:00