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2SB1669-Z
厂商型号

2SB1669-Z

功能描述

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

文件大小

138.29 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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2SB1669-Z规格书详情

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SB1669 is a power transistor that can be directly driven from the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA equipment such as motor and solenoid drivers.

FEATURES

• High DC current amplifier rate hFE ≥ 100 (VCE = −5.0 V, IC = −0.5 A)

• Z type available for surface mounting supported prodcuts

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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