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2SB1495中文资料PDF规格书

2SB1495
厂商型号

2SB1495

参数属性

2SB1495 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

241.21 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-14 20:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1495

  • 别名:

    2SB1495三极管、2SB1495晶体管、2SB1495晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    BDT60BF,2SB1226,2SB1250,2SB1282,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    20

2SB1495规格书详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)

• Low-Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max.)@IC= -1.5A

• Complement to Type 2SD2257

APPLICATIONS

• Designed for high power switching applications.

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1495,Q(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1.5mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 2A,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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