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DarlingtonTransistorBUILT-INDUMPERDIODEATE-C DESCRIPTION The2SB1318isadarlingtontransistorbuilt-indumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver. FEATURES ●HighDCCurrentGain. ●LowCollectorSaturationVoltage. ●Built-inadumperdiodeatE-C. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
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