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2SB1215S-TL-E分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SB1215S-TL-E
厂商型号

2SB1215S-TL-E

参数属性

2SB1215S-TL-E 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A TPFA

功能描述

Bipolar Transistor (-)100V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA
TRANS PNP 100V 3A TPFA

文件大小

106.63 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-13 19:55:00

2SB1215S-TL-E规格书详情

Features

• Low collector to emitter saturation voltage

• Excllent linearity of hFE

• Small-sized package permitting 2SB1215/2SD1815-applied sets to be made small and slim

• High fT

• Fast switching time

• Halogen free compliance

Applications

• Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications

2SB1215S-TL-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2SB1215S-TL-E晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1215S-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 150mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TP-FA

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TPFA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO
08+
TO-252
400
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ON/安森美
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