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2SB1185数据手册Galaxy中文资料规格书

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厂商型号

2SB1185

功能描述

50V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2SB1185

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR)CEO_Min_(V)

    :50

  • IC_(A)

    :3

  • hFE _Min

    :60

  • hFE _Max

    :320

  • VCE_(V)

    :3

  • IC_(mA)

    :500

  • VCE(sat)(V)

    :1

  • IC_(mA)1

    :2000

  • IB_(mA)

    :200

  • fT _Min _(MHz)

    :70+

  • PTM _Max_(W)

    :2

  • Package_Outlines

    :TO-220AB

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