2SB1132_1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SB1132_1 |
| 参数属性 | 2SB1132_1 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 32V 1A MPT3 |
| 功能描述 | Medium Power Transistor (−32V,−1A) |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
79.9 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-22 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SB1132_1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1132_1规格书详情
2SB1132_1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SB1132_1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
2SB1132T100Q
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 100mA，3V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
MPT3
- 描述：
TRANS PNP 32V 1A MPT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
2016+ |
SOT-89 |
6600 |
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