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2SB1124S-TD-E分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
2SB1124S-TD-E |
参数属性 | 2SB1124S-TD-E 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 3A PCP |
功能描述 | Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-243AA |
文件大小 |
355.64 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
人工找货 | 2SB1124S-TD-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1124S-TD-E规格书详情
2SB1124S-TD-E属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2SB1124S-TD-E晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
2SB1124S-TD-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
700mV @ 100mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 100mA,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
PCP
- 描述:
TRANS PNP 50V 3A PCP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-89 |
1612 |
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询价 | ||
SANYO/三洋 |
24+ |
NA/ |
63000 |
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SANYO |
23+ |
SOT89 |
20000 |
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22+ |
SOT-89 |
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23+ |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ONSEMI/安森美 |
2511 |
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SOT-89 |
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onsemi |
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SANYO |
24+ |
SOT-89 |
3200 |
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