2SAR502E3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SAR502E3 |
| 参数属性 | 2SAR502E3 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PNP, SOT-416, -30V -500MA, GENER |
| 功能描述 | PNP 500mA 30V General purpose transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-416 / SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
2.58265 Mbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-20 19:28:00 |
| 人工找货 | 2SAR502E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SAR502E3规格书详情
Features
1)General purpose.
2)Complementary NPN types :
2SCR502E3(EMT3) / 2SCR502U3(UMT3)
3)Collector current is large.
4)Low VCE(sat).
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
产品属性
- 产品编号：
2SAR502E3HZGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 10mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
520MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
EMT3
- 描述：
PNP, SOT-416, -30V -500MA, GENER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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