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2SA733P_D26Z数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2SA733P_D26Z |
参数属性 | 2SA733P_D26Z 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO92-3 |
功能描述 | TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
人工找货 | 2SA733P_D26Z价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA733P_D26Z规格书详情
简介
2SA733P_D26Z属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SA733P_D26Z晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SA733P_D26Z
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:50V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:300mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:100nA(ICBO)
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:200 @ 1mA,6V
- 功率 - 最大值
:625mW
- 频率 - 跃迁
:50MHz
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
- 供应商器件封装
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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