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2SA2210数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SA2210

参数属性

2SA2210 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 20A TO220F-3SG

功能描述

Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG
TRANS PNP 50V 20A TO220F-3SG

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:37:00

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2SA2210规格书详情

描述 Description

2SA2210 is a Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG for High-Current Switching Applications.

特性 Features

• Adoption of MBIT process
• Large current capacitance
• Low collector to emitter saturation voltage
• High speed switching

简介

2SA2210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SA2210晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SA2210

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :20

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :150

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :140

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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