2SA2210数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2SA2210 |
参数属性 | 2SA2210 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 20A TO220F-3SG |
功能描述 | Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 19:37:00 |
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2SA2210规格书详情
描述 Description
2SA2210 is a Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG for High-Current Switching Applications.
特性 Features
• Adoption of MBIT process
• Large current capacitance
• Low collector to emitter saturation voltage
• High speed switching
简介
2SA2210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SA2210晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SA2210
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:20
- VCEO Min (V)
:50
- VCBO (V)
:50
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:1.2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:150
- hFE Max
:450
- fT Min (MHz)
:140
- PTM Max (W)
:30
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
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