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2SA2127-AE分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SA2127-AE

参数属性

2SA2127-AE 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 2A 3MP

功能描述

Bipolar Transistor -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single MP
TRANS PNP 50V 2A 3MP

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

文件大小

462.98 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 14:31:00

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2SA2127-AE规格书详情

2SA2127-AE属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2SA2127-AE晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Bipolar Transistor

-50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single MP

特性 Features

• Adoption of MBIT process

• Low saturation voltage

• High current capacity and wide ASO

Applications

• Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SA2127-AE

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 50mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    420MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    3-MP

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 2A 3MP

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