2SA1930数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
技术参数
- 产品编号:
2SA1930(ONK,Q,M)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
5µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 100mA,5V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220NIS
- 描述:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220 |
6600 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
4249 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA |
30000 |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
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TOS |
1738+ |
TO-220F |
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TOSHIBA |
24+ |
原厂封装 |
4590 |
全新原装 |
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TOSHIBA |
2022+ |
TO220F |
20000 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
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TOSHIBA(东芝) |
24+ |
N/A |
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