2SA1930,LBS2DIAQ(J_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
2SA1930,LBS2DIAQ(J
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-220-3 整包
包装：
散装
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-6-3 15:00:00

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原厂料号：2SA1930,LBS2DIAQ(J品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

2SA1930,LBS2DIAQ(J是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-220-3 整包的2SA1930,LBS2DIAQ(J晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2sa1930,lbs2diaq(j
规格书：
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资料说明：
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SA1930,LBS2DIAQ(J
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220NIS
描述：
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

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2SA1930,LBS2DIAQ(J_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

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