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2SA1812分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SA1812

参数属性

2SA1812 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 400V 0.5A MPT3

功能描述

High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply)
TRANS PNP 400V 0.5A MPT3

丝印标识

AJ*

封装外壳

MPT3 / TO-243AA

文件大小

31.81 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 11:11:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SA1812

  • 别名:

    2SA1812三极管、2SA1812晶体管、2SA1812晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    400V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    12MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SA1740,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    400

  • htest:

    12000000

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    10

2SA1812规格书详情

2SA1812属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SA1812晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A)

特性 Features

1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V.

2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA.

3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA.

4) Wide SOA (safe operating area).

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SA1812T100Q

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 50mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    12MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 400V 0.5A MPT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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