2SA1669中文资料PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号:
2SA1669
- 功能描述:
TRANS PNP 15V 50MA 3CP
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)
- 系列:
-
- 产品变化通告:
Product Discontinuation 17/Dec/2010
- 标准包装:
1
- 晶体管类型:
NPN 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
4.7V 频率 -
- 转换:
47GHz
- 噪声系数(dB典型值@频率):
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
- 增益:
9dB ~ 31dB 功率 -
- 最大:
160mW 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE):
160 @ 25mA,3V 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
45mA
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:
4-TSFP
- 包装:
Digi-Reel®
- 其它名称:
BFP 740FESD E6327DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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