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2SA1586	文件：382.21 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1586	文件：283.91 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighVoltageandHighCurrent. ●Complementaryto2SC4116 ●SmallPackage APPLICATIONS ●GeneralPurposeAmplification.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA1586	文件：83.35 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES HighDCCurrentGain HighVoltageandHighCurrent Complementaryto2SC4116 SmallPackage APPLICATIONS GeneralPurposeAmplification	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1586	文件：46.7 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxial ■Features ●HighDCCurrentGain ●HighVoltageandHighCurrent. ●Complementaryto2SC4116 ●SmallPackage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1586	文件：153.06 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementary	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1586	文件：234.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1586	文件：202.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent. ●ExcellentHFELinearity. ●HighhFElinearity. ●Complementaryto2SC4116. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1586	文件：852.76 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighVoltageandHighCurrent. ●Complementaryto2SC4116 ●SmallPackage APPLICATIONS ●GeneralPurposeAmplification.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1586	文件：207.24 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementary	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1586	文件：1.87741 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain HighVoltageandHighCurrent. Complementaryto2SC4116 SmallPackage APPLICATIONS GeneralPurposeAmplification.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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