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2SA1417T-TD-E

Bipolar Transistor

Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs

文件:337.51 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SA1417T-TD-E

Bipolar Transistor

文件:337.51 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SA1417T-TD-E

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 100V 2A PCP

ONSEMI

安森美半导体

2SA1417

High-Voltage Switching Applications

文件:446.5 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

2SA1417

High-Voltage Switching Applications

文件:63.05 Kbytes 页数:5 Pages

SANYO

三洋

2SA1417

High-Voltage Switching Applications

Features ● Adoption of FBET, MBIT Processes ● High Breakdown Voltage and Large Current Capacity ● Complementary to 2SC3647

文件:505.01 Kbytes 页数:3 Pages

KEXIN

科信电子

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1417T-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PCP

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 2A PCP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多2SA1417T-TD-E供应商 更新时间2025-10-11 23:00:00