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2SA1362分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA1362
厂商型号

2SA1362

参数属性

2SA1362 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.8A SMINI

功能描述

Low Frequency Power Amplifier Applications

丝印标识

AEG

封装外壳

SOT-346 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

192.65 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 19:18:00

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2SA1362规格书详情

Low Frequency Power Amplifier Applications

Power Switching Applications

• High DC current gain: hFE= 120~400

• Low saturation voltage: VCE (sat)= −0.2 V (max)

(IC= −400 mA, IB= −8 mA)

• Suitable for driver stage of small motor

• Small package

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1362-GR,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 8mA,400mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.8A SMINI

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